自组织生长锗硅量子点及其特性

半导体量子点的研究是当今物理学研究的热点之一．文章阐述了锗硅量子点自组织生长方法的基本原理和技术，并介绍了所制备的量子点材料的形貌结构、光学特性、电学特性及今后的发展方向．     

建立新的物理实验课教学体系的尝试

现代科学校术的飞速发展,新的科学知识不断涌现,科学知识的总量迅速增长,知识更新周期越来越短。边缘学科,横向学科,综合学科的不断产生和发展,要求高等院校培养的人材不但要有扎实的基础,较宽的知识面,还要有较强的科学研究能力。所以高等教育必须改变传统的以传授知识为主的教育方式,加强学生能力的培养。学生的能力主要表现为分析问题和解决问题的能力,以及创造精神。物理实验实际是人们进行自然科学研究的一种基本方法,具有探索性和创造精神的实验活动,所     

点接触金属/Pr0.7Ca0.3MnO3/Pt结构稳定的低电流电阻开关特性

利用自主开发的导电原子力显微镜控制Pt,W探针构成点接触金属/Pr0.7Ca0.3MnO3(PCMO)/Pt三明治结构,对其电流-电压(I-V)及脉冲诱导电阻开关(EPIR)特性进行了研究.研究发现,在10 nA限流下两种电极对应结构的I-V都表现出相当稳定的双极性电阻开关特性,以及大于100的电阻开关比.进一步测试发现,点接触W/PCMO/Pt器件具有在10 nA限流下稳定的EPIR特性以及100 pA限流下重复的双极性电阻开关特性.此电流比已报道的电流低3个数量级,表明此结构在低功耗存储器件方面的潜在应用.通过对比样品不同位置、不同限流、不同接触面积点接触Pt/PCMO/Pt的I-V回滞特性,把点接触器件在低电流下稳定、显著的电阻开关效应归结于小的器件面积导致强的局域电场加强了O离子迁移效应.     

GaAs／GaInNAsSb超晶格性能的影响

用Keafing的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变．用折叠谱(foldedspectrummethod)合Williamson经验赝势法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构．讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响．发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元，从而影响了该超晶格的发光性能．计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量．     

强双折射光纤中暗孤子的传输特性研究

从光纤双折射参量、背景光宽度、孤子脉冲宽度三方面探讨暗孤子在双折射光纤中远距离传输特性研究表明:相对于亮孤子,暗孤子对光纤双折射的自适应能力较弱;背景光宽度越大,暗脉冲与背景光对比度越好,暗孤子越能保持原来黑孤子状态;暗孤子脉冲宽度越大,偏振脉冲之间的差分群时延越大,诱导的灰孤子震荡结构越明显,越不利于暗孤子远距离传输.     

Isoscaling in Statistical Sequential Decay Model

A sequential decay model is used to study isoscaling, i.e. the factorization of the isotope ratios from sources of different isospins and sizes over a broad range of excitation energies, into fugacity terms of proton and neutron number, R21（N, Z） = Y2（ N, Z）/Y1（ N, Z） = Cexp（αN -βZ）. It is found that the isoscaling parameters α and β have a strong dependence on the isospin difference of equilibrated source and excitation energy, no significant influence of the source size on α andβ has been observed. It is found that α and β decrease with the excitation energy and are linear functions of 1/T and △（Z/A）2 or△（N/A）2 of the sources. Symmetry energy coefticient Gsym is constrained from the relationship of a and source △（Z/A）2, /3 and source △（N/A）2.     

First-Principles Study of Electronic Structure of the Laves Phase ZrFe2

We perform the ab initio calculation for obtaining the density of states and magnetic properties of ZrFe2 Laves phase compound based on the method of augmented plane waves plus local orbital The results indicate that the ferromagnetic state is more stable than the paramagnetic one, but with a slightly larger volume. The 3d - 4d exchange interactions between Fe and Zr electrons lead to the antiparallel coupling for Fe 3d and Zr 4d states, which is responsible for the ferrimagnetic ordering of the compound. The resulting magnetic moment of about 1.98μB for Fe is spatially localized near the Fe site, while around Zr a small but extended negative spin states causes a moment of about -0.44 μB. Moreover, the resulting magnetic moments with the generalized gradient approximation are more consistent with experimental values than that of the local-spin density approximation.     

丝阵Z箍缩实验1维X光辐射功率分布

 在Angara-5-1联合实验中,利用条纹像机和光纤阵列实现时间分辨和1维空间分辨,得到了丝阵条纹像,观察到丝阵负载箍缩区X光辐射的1维轴向空间分布信息随时间的演化过程,考察了内爆的同步性和均匀性。通过对比不同结构负载内爆等离子体X光1维时空分布信息,发现由于内层等离子体对磁流体瑞利-泰勒不稳定性的抑制作用,(40+20)根双层钨丝阵比60根单层钨丝阵的内爆轴向同步性好,产生的X光辐射功率高;由于负载存在弯曲、断丝、扭曲等现象,(60+30)根双层钨丝阵比90根单层钨丝阵的轴向同步优势不明显;轴向同步性好与辐射功率高之间存在相关性;辐射波形前沿较快时,X光功率较高。     

Optimization of Metamorphic InGaAs Quantum Wells on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy

We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials （x up to 0.5） on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content （55%） InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions.     

瓶颈开口角对二维颗粒流的影响

实验研究了平面传送带上颗粒流的特性，主要包括传送带出口处开口宽度以及瓶颈开口角度对颗粒流的影响.实验结果发现，改变瓶颈开口角度θ，当θ大于15°时，颗粒流量Q随着cosθ呈线性变化.同时，颗粒流量Q与传送带速度v以及开口大小R也密切相关，而在θ小于15°时，颗粒流量Q基本不随开口角度变化.